北京晶格領域半導體有限公司（ 以下簡稱“晶格領域”）于2020年6月成立，是集碳化硅（SiC）襯底研發、生產及銷售于一體的創新型高新技術企業。晶格領域掌握具有自主知識產權的液相法碳化硅單晶生長技術，能有效提高晶體質量，降低生產成本，并能制備出高質量4H-p型碳化硅和3C-n型立方碳化硅襯底，對推動寬禁帶半導體產業的發展具有重要意義。
晶格領域已建成4-6寸液相法碳化硅襯底試驗線，6-8寸液相法碳化硅襯底試驗線也于2025年完成建設。
晶格領域已成功突破4-8英寸p型和4-6寸3C-n型碳化硅單晶生長技術，我司專注于半導體晶體材料的技術研發，致力于在晶體尺寸控制、缺陷密度降低及厚度均勻性等關鍵指標上實現持續突破。
晶格領域注重人才發展，擁有多種人才發展渠道，勵志打造一支技術過硬、業務精湛的專業技術團隊，發展成為國內一流、行業領先的前瞻性創新企業，促進第三代半導體產業發展。
行業背景：
碳化硅作為寬禁帶半導體代表材料之一，其大禁帶寬度、高臨界擊穿場強等性質，使其成為制造高頻、大功率、抗輻照及光電集成器件的理想材料，已廣泛應用于新能源汽車、5G通信、航空航天、軌道交通等眾多領域，并已被列入國家“十四五”規劃和2035年遠景目標綱要，是未來高新技術產業的橋頭堡。
碳化硅產業鏈主要包括“襯底-外延-器件-封裝-應用”等環節，晶格領域處于碳化硅半導體產業鏈的最前端--襯底材料的制備，是高端芯片產業發展的基礎和關鍵。目前國內碳化硅襯底制備企業多數采用的是PVT法，晶格領域采用的液相法生長技術相比于PVT法，具有生長的晶體質量高、缺陷少、成品率高等優勢，同時采用液相法可以有效解決PVT法難以生長高質量p型碳化硅和n型立方碳化硅的難題，可填補P型碳化硅襯底和n型立方碳化硅襯底空白。
