北京晶格領(lǐng)域半導(dǎo)體有限公司（ 以下簡(jiǎn)稱“晶格領(lǐng)域”）于2020年6月成立，是集碳化硅（SiC）襯底研發(fā)、生產(chǎn)及銷售于一體的創(chuàng)新型高新技術(shù)企業(yè)。晶格領(lǐng)域掌握具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的液相法碳化硅單晶生長(zhǎng)技術(shù)，能有效提高晶體質(zhì)量，降低生產(chǎn)成本，并能制備出高質(zhì)量4H-p型碳化硅和3C-n型立方碳化硅襯底，對(duì)推動(dòng)寬禁帶半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展具有重要意義。
晶格領(lǐng)域已建成4-6寸液相法碳化硅襯底試驗(yàn)線，6-8寸液相法碳化硅襯底試驗(yàn)線也于2025年完成建設(shè)。
晶格領(lǐng)域已成功突破4-8英寸p型和4-6寸3C-n型碳化硅單晶生長(zhǎng)技術(shù)，我司專注于半導(dǎo)體晶體材料的技術(shù)研發(fā)，致力于在晶體尺寸控制、缺陷密度降低及厚度均勻性等關(guān)鍵指標(biāo)上實(shí)現(xiàn)持續(xù)突破。
晶格領(lǐng)域注重人才發(fā)展，擁有多種人才發(fā)展渠道，勵(lì)志打造一支技術(shù)過(guò)硬、業(yè)務(wù)精湛的專業(yè)技術(shù)團(tuán)隊(duì)，發(fā)展成為國(guó)內(nèi)一流、行業(yè)領(lǐng)先的前瞻性創(chuàng)新企業(yè)，促進(jìn)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展。
行業(yè)背景：
碳化硅作為寬禁帶半導(dǎo)體代表材料之一，其大禁帶寬度、高臨界擊穿場(chǎng)強(qiáng)等性質(zhì)，使其成為制造高頻、大功率、抗輻照及光電集成器件的理想材料，已廣泛應(yīng)用于新能源汽車、5G通信、航空航天、軌道交通等眾多領(lǐng)域，并已被列入國(guó)家“十四五”規(guī)劃和2035年遠(yuǎn)景目標(biāo)綱要，是未來(lái)高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)的橋頭堡。
碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈主要包括“襯底-外延-器件-封裝-應(yīng)用”等環(huán)節(jié)，晶格領(lǐng)域處于碳化硅半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈的最前端--襯底材料的制備，是高端芯片產(chǎn)業(yè)發(fā)展的基礎(chǔ)和關(guān)鍵。目前國(guó)內(nèi)碳化硅襯底制備企業(yè)多數(shù)采用的是PVT法，晶格領(lǐng)域采用的液相法生長(zhǎng)技術(shù)相比于PVT法，具有生長(zhǎng)的晶體質(zhì)量高、缺陷少、成品率高等優(yōu)勢(shì)，同時(shí)采用液相法可以有效解決PVT法難以生長(zhǎng)高質(zhì)量p型碳化硅和n型立方碳化硅的難題，可填補(bǔ)P型碳化硅襯底和n型立方碳化硅襯底空白。
